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化工儀器網(wǎng)>產(chǎn)品展廳>半導體行業(yè)專用儀器>光刻及涂膠顯影設備>納米壓印設備>mr-I 7000E、mr-I 8000E 德國Micro Resist納米壓印膠

mr-I 7000E、mr-I 8000E 德國Micro Resist納米壓印膠

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 公司名稱 邁可諾技術有限公司
  • 品牌
  • 型號 mr-I 7000E、mr-I 8000E
  • 產(chǎn)地
  • 廠商性質 代理商
  • 更新時間 2025/7/1 20:24:39
  • 訪問次數(shù) 4479
產(chǎn)品標簽

納米壓印膠

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半導體化工領域專業(yè)實驗設備供應商:邁可諾是一家富有創(chuàng)新精神的高科技公司,專業(yè)提供光電半導體化工實驗室所需設備耗材的全套解決方案提供商,邁可諾從事開發(fā)、設計、生產(chǎn)并營銷質量可靠的、安全易用的技術產(chǎn)品及優(yōu)質專業(yè)的服務,幫助我們的客戶和合作伙伴取得成功。我們成功的基礎是幫助客戶做出更好的選擇和決定,尊重他們的決定,并協(xié)助他們實現(xiàn)高效率的科研成果,追求豐富有意義的生活。




勻膠機,光刻機,顯影機,等離子清洗機,紫外臭氧清洗機,紫外固化箱,壓片機,等離子去膠機,刻蝕機,加熱板

供貨周期 一個月以上 應用領域 電子/電池

品牌

產(chǎn)地

型號

特點

 

Micro Resist

德國

mr-I 7000E系列

Tg = 60

優(yōu)異的成膜質量

由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間

壓印溫度125 - 150,壓印壓力20 - 50 bar

Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于PMMA

可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率(取決于模版分辨率)

 
 

mr-I 8000E系列

Tg = 115

優(yōu)異的成膜質量

由于高效的流動性和快速壓印從而縮短整個工藝時間

壓印溫度170 - 190,壓印壓力20 - 50 bar

Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于PMMA

可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率(取決于模版分辨率)

 
 

mr-I PMMA 35k/75k系列

Tg = 105

優(yōu)異的成膜質量

低分子量從而實現(xiàn)高效的流動性

壓印溫度150 - 180,壓印壓力50 bar

可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率(取決于模版分辨率)

 
 

mr-I T85系列

Tg = 85

優(yōu)異的成膜質量

壓印溫度140 - 170,壓印壓力大于5 bar

Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于傳統(tǒng)的Novolak基光膠

非極化熱塑性、具有優(yōu)異的紫外和光學透過率,高化學穩(wěn)定性

可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率(取決于模版分辨率)

 
 

mr-I 9000E系列

熱固化之前Tg = 35

優(yōu)異的成膜質量
接近等溫加工處理
n 壓印溫度120
n 脫模溫度100
壓印時溫度從TgTg,Cured增加并固化
非常低的殘余膠層厚度低至5 nm
Plasma
刻蝕阻抗性能優(yōu)于傳統(tǒng)的Novolak基光膠
可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率(取決于模版分辨率)

 
 

mr-NIL 6000系列

光化學固化之前Tg = 40

優(yōu)質的固體光膠薄膜

接近等溫加工處理:壓印、紫外曝光固化,壓印與脫模在同一溫度下進行

非常低的殘余膠層厚度低至10 nm

圖案轉移時高保真度

Plasma刻蝕阻抗性能優(yōu)于傳統(tǒng)的Novolak基光膠
可獲得優(yōu)于50 nm的分辨率(取決于模版分辨率)
寬帶或i線曝光

 
 

mr-UVCur06

旋涂使用

優(yōu)質的成膜質量和膠厚均一性

室溫加工處理

由于快速地填充模版孔隙從而縮短工藝時間

低劑量紫外曝光快速固化

可獲得優(yōu)于30 nm的分辨率(取決于模版分辨率)

Plasma刻蝕高阻抗性能

O2 Plasma刻蝕可無殘余去除

寬帶或i線曝光

 
 


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