1. 產(chǎn)品概述

Canon FPA5000 ES3掃描式光刻機，主要用于6寸、8寸及12寸生產(chǎn)線，廣泛應用于化合物半導體、MEMS、LED等域。

2. 設備特點

投影放大倍率：1/4 X，曝光光：（248nm DUV）。數(shù)值孔徑：（0.73~0.60，以 0.01 為增量），視場尺寸：26x33mm。曝光光：DUV（深紫外線）。強度： 低 17,000 w/m2。均勻度：+/- 1.0%。遮蔽刀片精度：最大 +/- 80 μm。

分辨率：<0.13μm 或更小。焦深：最小 R 0.6μm，圖像表面寬度：R 0.12μm 或更高，畸變度：<± 10μm。對焦/調平性能：聚焦重復性：<60nm （3sigma），調平重復性：<4ppm （3sigma），最小補償范圍：>100ppm。步長精度：17nm （3sigma），縮放比例：<±0.5ppm，正交度：<±0.5ppm。標線旋轉精度：<±0.3ppm。晶圓對準：<0.025μm 平均值 + 3sigma。光罩旋轉重復性：<R0.7ppm。標準尺寸：6 英寸方形 t=0.25 英寸（Patticle 檢查器）。材質： 石英。圖案材料：2 層 CR、3 層 CR。薄膜框架：僅圖案側支架 = 6.3mm。光罩顆粒檢查器規(guī)格：檢測分辨率：圖案表面：>0.6μm。玻璃表面：>15μm，表層表面：>20μm，檢測重復性： >95%，晶圓尺寸：標準 8 英寸（8 英寸至 12 英寸 SEMI 標準，JEIDA，缺口/平面，可選），吞吐量：125wph （30 shot）22mm （ 8“ 晶圓），吞吐量：73wph （64shot）22mm （ 12“ 晶圓），環(huán)境室規(guī)格：清潔度：1級（>0.1μm），控溫精度：+/- 0.1*C 以內(nèi)。腔室類型：CD140，空調：BCU-900，制冷劑：P3419481YH，調節(jié)劑：SC-216440。

佳能開發(fā)了一系列半導體光刻設備，旨在滿足除傳統(tǒng)半導體晶圓加工之外的廣泛應用的技術要求。

半導體芯片（也稱為集成電路，Integrated Circuit, IC）生產(chǎn)主要分為 IC 設計、 IC 制造、 IC 封測三大環(huán)節(jié)。 IC 設計主要根據(jù)芯片的設計目的進行邏輯設計和規(guī)則制定，并根據(jù)設計圖制作掩模以供后續(xù)光刻步驟使用。 IC 制造實現(xiàn)芯片電路圖從掩模上轉移至硅片上，并實現(xiàn)目標芯片功能，包括化學機械研磨、薄膜沉積、光刻、刻蝕、離子注入等步驟。 IC 封測完成對芯片的封裝和性能、功能測試，是產(chǎn)品交付前的最后工序。