實時原位薄膜應(yīng)力儀：同樣采用*的MOS技術(shù)，可裝在各種真空沉積設(shè)備上（如：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects），對于薄膜生長過程中的應(yīng)力變化進(jìn)行實時原位測量和二維成像分析；

技術(shù)參數(shù)：

薄膜應(yīng)力測量系統(tǒng)，薄膜應(yīng)力測試儀，薄膜應(yīng)力計，薄膜應(yīng)力儀，Film Stress Tester, Film Stress Measurement System;

1.XY雙向程序控制掃描平臺掃描范圍：200mm；300mm (XY)（可選）；

2.XY雙向掃描速度：zui大20mm/s；

3.XY雙向掃描平臺掃描zui小步進(jìn)/分辨率：2 μm ；

4.薄膜應(yīng)力測量范圍：5×10⁵到4×10¹⁰dynes/cm²（或者5×104Pa to 4×109Pa）；

5.薄膜應(yīng)力測量分辨率：優(yōu)于0.1MPa;

6.測量精度：優(yōu)于±0.1%；

7.測量重復(fù)性：優(yōu)于0.1%；

8.平均曲率分辨率：< 2e-5 (1/m) 1-sigma (100km radius) ；

9.平均曲率重復(fù)性：<2×10e-5 1/m；

主要特點(diǎn)：

1.程序化控制掃描模式：單點(diǎn)掃描、選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全面積掃描；

2.成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應(yīng)力2D成像分析； 
3.測量功能：薄膜應(yīng)力、翹曲、曲率半徑等；
4.支持變溫?zé)釕?yīng)力測量功能，溫度范圍-65C to 1000C；
5.薄膜殘余應(yīng)力測量；